5N SiC 분말 입방정 베타 탄화규소 100nm 300nm 500nm
고순도 베타 탄화규소는 순도가 5N 이상인 β상 탄화규소입니다. β상 입방정 탄화규소는 3C 입방정 결정 구조를 가지며, 독특한 결정 형태 덕분에 다이아몬드에 버금가는 경도(모스 경도 9.5~9.75)를 자랑합니다. 고순도 β상 탄화규소 분말은 고온 열경화법과 화학 기상 증착(CVD)법을 이용하여 생산됩니다. 이 제품은 높은 순도, 높은 β상 함량, 제어 가능한 입자 크기, 우수한 소결 활성 및 양호한 분산성을 특징으로 합니다. 또한, 입방정 탄화규소는 높은 열전도율, 높은 전자 이동 속도, 높은 전자 이동도, 내식성 및 우수한 열충격 저항성과 같은 탁월한 물리화학적 특성을 지니고 있습니다. 항공우주, 고급 세라믹, 신에너지 배터리, 표면 처리 및 반도체 산업 등 다양한 분야에서 널리 사용됩니다.
5N SiC 분말(입방 베타 탄화규소)의 성능 특성:
- 제품 순도가 5N 이상으로 매우 높습니다.
- 입방상 함량이 최대 99%에 달하며, 순수한 β상 결정 형태를 갖고 있습니다.
- 형태: 다양한 입자 크기를 선택할 수 있는 구형 입자.
- 산소 함량이 낮음, 0.3% 미만.
- 우수한 소결 활성과 용이한 분산성.
- 탁월한 고온 저항성, 내마모성, 내식성 및 열충격 저항성을 갖추고 있습니다.
물리적 지표
| 결정 구조 | 입방체 |
| 결정상 | 비 |
| β 함량 | 99% 이상 |
| 녹는점 | 2700° |
| 분해 온도 | 2830°±40° |
| 열팽창 계수 | 2.5-7 x10⁻⁶ /°C |
| 열전도율 | 0.255 W/cm K |
| 모스 경도 | 9.5-9.75 |
| 비커스 경도(미세경도) | 3300-3500kg/mm2 |
| 비중 | 3.216g/cm3 |
투기.
| 투기. | 크기 | SiC 순도(%) | β 백분율 | 모양 |
| 5N-βSiC-100nm | 100nm | 5N | 99% 이상 | 아구형 |
| 5N-βSiC-300nm | 300nm | 5N | 99% 이상 | 아구형 |
| 5N-βSiC-500nm | 500nm | 5N | 99% 이상 | 아구형 |
| 5N-βSiC-2um | 2um | 5N | 99% 이상 | 아구형 |
| 5N-βSiC-5um | 5µm | 5N | 99% 이상 | 아구형 |
| 5N-βSiC-10um | 10um | 5N | 99% 이상 | 아구형 |
| 5N-βSiC-10um | 50um | 5N | 99% 이상 | 아구형 |
| 7N-βSiC-G | 1-10mm | 7N | 99% 이상 | 입자 |
애플리케이션
- 미세 분쇄
- 정밀 탄화규소 세라믹
- 새로운 에너지 배터리
- 반도체
- 특수 코팅
- 고온 재료
- 전자 부품
