Granular Black 실리콘 카바이드 F30 그릿의 제품 소개
세분화된 블랙 실리콘 카바이드 F30 그릿은 카보런덤 기반 인공 발파 매체입니다. 블래스터의 고압에 의해 실리콘 카바이드 그릿은 비석 에칭, 합금 표면의 산화층 제거, 세라믹 타일 표면의 블라스팅 등에 효율적으로 작동합니다. 금속 및 비금속 기판 모두에 적합합니다. 과립형 블랙 실리콘 카바이드는 강력하고 단단한 발파 매체입니다. 경도는 28-32GPa로 커런덤, 스틸쇼트, 글래스비드 등보다 높다.
Granular Black 실리콘 카바이드 F30 그릿의 일반적인 물리적 특성
| 경도: | 모스:9.2 |
| 녹는 점: | 약 2300 °C에서 해리됨 |
| 최대 서비스 온도: | 1900°C |
| 비중: | 3.2-3.45g/ cm3 |
| 부피 밀도(LPD): | 1.2-1.6g/cm3 |
| 색상: | 검은색 |
| 입자 모양: | 육각형 |
| 탄성계수 | 58-65×10 6psi _ |
| 열팽창 계수 | 3.9-4.5 x10 -6 / ℃ |
| 열 전도성 | 71-130W/MK |
Granular Black 실리콘 카바이드 F30 그릿의 일반적인 물리적 특성
| SiC | 98.77% |
| Fe2O3 _ _ _ | 0.18% |
| FC | 0.14% |
| 자성 콘텐츠 | 0.011% |
Granular Black 실리콘 카바이드 F30 그릿의 제품 기능
- 고온에서 내산화성 및 화학적 안정성이 우수합니다.
- Mohs 9.2-9.3의 높은 경도. 2000℃에서도 여전히 고강도입니다.
- 우수한 인성.
- 열전도율이 낮습니다. 따라서 열충격에 강합니다.
- 고순도 최소 SiC 함량은 98.5%입니다.
- 높은 벌크 밀도.
- 블랙 실리콘 카바이드 그릿은 밀링 공정 전에 물로 세척되므로 불순물이 거의 없습니다.
세분화된 블랙 실리콘 카바이드 그릿의 적용:
석재, 대리석, 화강암 등의 연마제 분사
반도체 알루미늄 합금 등의 표면 세정
세라믹 제품 및 전자 세라믹의 분사 및 연삭.
세라믹 전자 부품 연마.
보석 연마, 보석 천공.
유리 작품 등의 블라스팅 및 그라인딩
기타 사용 가능한 그릿 크기:
| 매크로 그릿 크기 | 평균 입자 크기 ( mm ) | 기본 입자 크기 ( mm ) |
| 8# | 2.460 | 2.000-2.360 |
| 10# | 2.085 | 1.700-2.000 |
| 12# | 1.765 | 1.400-1.700 |
| 14# | 1.470 | 1.180-1.400 |
| 16# | 1.230 | 1.100-1.180 |
| 20# | 1.040 | 0.850-1.000 |
| 스물 둘# | 0.885 | 0.710-0.850 |
| 스물넷# | 0.745 | 0.600-0.710 |
| 30# | 0.625 | 0.500-0.600 |
| 36# | 0.525 | 0.425-0.500 |
| 40# | 0.438 | 0.355-0.425 |
| 46# | 0.370 | 0.300-0.355 |
| 54# | 0.310 | 0.250-0.300 |
| 60# | 0.260 | 0.212-0.250 |
| 70# | 0.218 | 0.180-0.212 |
| 80# | 0.185 | 0.150-0.180 |
| 90# | 0.154 | 0.125-0.150 |
| 100# | 0.129 | 0.106-0.125 |
| 120# | 0.109 | 0.090-0.106 |
| 150# | 0.082 | 0.063-0.075 |
| 180# | 0.069 | 0.053-0.075 |
| 220# | 0.058 | 0.045-0.063 |
| 그릿 지정 | 평균 입자 크기 ds50-값(μm) |
| F230 | 53.0±3 |
| F240 | 44.5±2 |
| F280 | 36.5±1.5 |
| F320 | 29.2±1.5 |
| F360 | 22.8±1.5 |
| F400 | 17.3±1 |
| F500 | 12.8±1 |
| F600 | 9.3±1 |
| F800 | 6.5±1 |
| 1000에프 | 4.5±0.8 |
| F1200 | 3.0 ± 0.5 |
| 1500에프 | 2.0 ± 0.4 |
| 2000년 | 1.2 ± 0.3 |
| 3000에프 | 0.8±0.2 |
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